ପରିଚୟ
ବିଦ୍ୟୁତ୍ ପ୍ରଯୁକ୍ତିବିଦ୍ୟା ଆଧୁନିକ ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ ଉପକରଣର ମୂଳଦୁଆ, ଏବଂ ପ୍ରଯୁକ୍ତିବିଦ୍ୟାର ଅଗ୍ରଗତି ସହିତ, ଉନ୍ନତ ବିଦ୍ୟୁତ୍ ପ୍ରଣାଳୀ କାର୍ଯ୍ୟଦକ୍ଷତାର ଚାହିଦା ବୃଦ୍ଧି ପାଇବାରେ ଲାଗିଛି। ଏହି ପରିପ୍ରେକ୍ଷୀରେ, ଅର୍ଦ୍ଧପରିବାହୀ ସାମଗ୍ରୀର ପସନ୍ଦ ଗୁରୁତ୍ୱପୂର୍ଣ୍ଣ ହୋଇପଡ଼େ। ପାରମ୍ପରିକ ସିଲିକନ୍ (Si) ଅର୍ଦ୍ଧପରିବାହୀ ସାମଗ୍ରୀ ଏବେ ବି ବହୁଳ ଭାବରେ ବ୍ୟବହୃତ ହେଉଥିବା ବେଳେ, ଗ୍ୟାଲିୟମ୍ ନାଇଟ୍ରାଇଡ୍ (GaN) ଏବଂ ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ (SiC) ପରି ଉଦୀୟମାନ ସାମଗ୍ରୀ ଉଚ୍ଚ-କ୍ଷମତା ଶକ୍ତି ପ୍ରଯୁକ୍ତିବିଦ୍ୟାରେ କ୍ରମଶଃ ପ୍ରମୁଖତା ହାସଲ କରୁଛନ୍ତି। ଏହି ଲେଖାଟି ବିଦ୍ୟୁତ୍ ପ୍ରଯୁକ୍ତିବିଦ୍ୟାରେ ଏହି ତିନୋଟି ସାମଗ୍ରୀ ମଧ୍ୟରେ ପାର୍ଥକ୍ୟ, ସେମାନଙ୍କର ପ୍ରୟୋଗ ପରିସ୍ଥିତି ଏବଂ ବର୍ତ୍ତମାନର ବଜାର ଧାରା ବିଷୟରେ ଅନୁସନ୍ଧାନ କରିବ ଯାହା ଦ୍ୱାରା ଭବିଷ୍ୟତର ବିଦ୍ୟୁତ୍ ପ୍ରଣାଳୀରେ GaN ଏବଂ SiC କାହିଁକି ଅତ୍ୟାବଶ୍ୟକ ହୋଇପଡୁଛି ତାହା ବୁଝିହେବ।
୧. ସିଲିକନ୍ (Si) — ପାରମ୍ପରିକ ଶକ୍ତି ଅର୍ଦ୍ଧଚାଳକ ସାମଗ୍ରୀ
୧.୧ ବୈଶିଷ୍ଟ୍ୟ ଏବଂ ସୁବିଧା
ସିଲିକନ୍ ହେଉଛି ପାୱାର ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର କ୍ଷେତ୍ରରେ ଅଗ୍ରଣୀ ସାମଗ୍ରୀ, ଯାହାର ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ସ ଶିଳ୍ପରେ ଦଶନ୍ଧି ଧରି ପ୍ରୟୋଗ ହେଉଛି। Si-ଆଧାରିତ ଡିଭାଇସଗୁଡ଼ିକରେ ପରିପକ୍ୱ ଉତ୍ପାଦନ ପ୍ରକ୍ରିୟା ଏବଂ ଏକ ବିସ୍ତୃତ ପ୍ରୟୋଗ ଆଧାର ରହିଛି, ଯାହା କମ ମୂଲ୍ୟ ଏବଂ ଏକ ସୁପ୍ରତିଷ୍ଠିତ ଯୋଗାଣ ଶୃଙ୍ଖଳ ଭଳି ସୁବିଧା ପ୍ରଦାନ କରେ। ସିଲିକନ୍ ଡିଭାଇସଗୁଡ଼ିକ ଭଲ ବୈଦ୍ୟୁତିକ ପରିବାହିତା ପ୍ରଦର୍ଶନ କରେ, ଯାହା ସେମାନଙ୍କୁ କମ୍-ଶକ୍ତି ଉପଭୋକ୍ତା ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ସ ଠାରୁ ଉଚ୍ଚ-ଶକ୍ତି ଶିଳ୍ପ ସିଷ୍ଟମ ପର୍ଯ୍ୟନ୍ତ ବିଭିନ୍ନ ପାୱାର ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ସ ପ୍ରୟୋଗ ପାଇଁ ଉପଯୁକ୍ତ କରିଥାଏ।
୧.୨ ସୀମାବଦ୍ଧତା
ତଥାପି, ବିଦ୍ୟୁତ୍ ପ୍ରଣାଳୀରେ ଉଚ୍ଚ ଦକ୍ଷତା ଏବଂ କାର୍ଯ୍ୟଦକ୍ଷତାର ଚାହିଦା ବୃଦ୍ଧି ପାଇବା ସହିତ, ସିଲିକନ୍ ଡିଭାଇସଗୁଡ଼ିକର ସୀମା ସ୍ପଷ୍ଟ ହୋଇଯାଏ। ପ୍ରଥମତଃ, ଉଚ୍ଚ-ଆବୃତ୍ତି ଏବଂ ଉଚ୍ଚ-ତାପମାନ ପରିସ୍ଥିତିରେ ସିଲିକନ୍ ଖରାପ କାର୍ଯ୍ୟ କରେ, ଯାହା ଫଳରେ ଶକ୍ତି କ୍ଷତି ବୃଦ୍ଧି ପାଏ ଏବଂ ସିଷ୍ଟମ୍ ଦକ୍ଷତା ହ୍ରାସ ପାଏ। ଏହା ସହିତ, ସିଲିକନ୍ର ନିମ୍ନ ତାପଜ ପରିବାହିତା ଉଚ୍ଚ-ଶକ୍ତି ପ୍ରୟୋଗରେ ତାପଜ ପରିଚାଳନାକୁ ଚ୍ୟାଲେଞ୍ଜିଂ କରିଥାଏ, ଯାହା ସିଷ୍ଟମ୍ ନିର୍ଭରଯୋଗ୍ୟତା ଏବଂ ଜୀବନକାଳକୁ ପ୍ରଭାବିତ କରିଥାଏ।
୧.୩ ପ୍ରୟୋଗ କ୍ଷେତ୍ର
ଏହି ଚ୍ୟାଲେଞ୍ଜ ସତ୍ତ୍ୱେ, ସିଲିକନ୍ ଡିଭାଇସଗୁଡ଼ିକ ଅନେକ ପାରମ୍ପରିକ ପ୍ରୟୋଗରେ ପ୍ରଭାବଶାଳୀ ରହିଛି, ବିଶେଷକରି ମୂଲ୍ୟ-ସମ୍ବେଦନଶୀଳ ଉପଭୋକ୍ତା ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ସ ଏବଂ AC-DC କନଭର୍ଟର, DC-DC କନଭର୍ଟର, ଘରୋଇ ଉପକରଣ ଏବଂ ବ୍ୟକ୍ତିଗତ କମ୍ପ୍ୟୁଟିଂ ଡିଭାଇସ୍ ଭଳି କମ୍-ରୁ-ମଧ୍ୟମ-ଶକ୍ତି ପ୍ରୟୋଗରେ।
୨. ଗାଲିୟମ୍ ନାଇଟ୍ରାଇଡ୍ (GaN) — ଏକ ଉଦୀୟମାନ ଉଚ୍ଚ-କାର୍ଯ୍ୟଦକ୍ଷତା ସାମଗ୍ରୀ
୨.୧ ବୈଶିଷ୍ଟ୍ୟ ଏବଂ ସୁବିଧା
ଗାଲିୟମ୍ ନାଇଟ୍ରାଇଡ୍ ଏକ ବିସ୍ତୃତ ବ୍ୟାଣ୍ଡଗ୍ୟାପ୍ଅର୍ଦ୍ଧପରିବାହୀଏକ ଉଚ୍ଚ ବ୍ରେକଡାଉନ୍ କ୍ଷେତ୍ର, ଉଚ୍ଚ ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନ୍ ଗତିଶୀଳତା ଏବଂ କମ୍ ପ୍ରତିରୋଧ ଦ୍ୱାରା ବର୍ଣ୍ଣିତ ସାମଗ୍ରୀ। ସିଲିକନ୍ ତୁଳନାରେ, GaN ଡିଭାଇସଗୁଡ଼ିକ ଉଚ୍ଚ ଫ୍ରିକ୍ୱେନ୍ସିରେ କାର୍ଯ୍ୟ କରିପାରିବ, ପାୱାର ଯୋଗାଣରେ ନିଷ୍କ୍ରିୟ ଉପାଦାନଗୁଡ଼ିକର ଆକାରକୁ ଉଲ୍ଲେଖନୀୟ ଭାବରେ ହ୍ରାସ କରିପାରିବ ଏବଂ ପାୱାର ଘନତ୍ୱ ବୃଦ୍ଧି କରିପାରିବ। ଅଧିକନ୍ତୁ, GaN ଡିଭାଇସଗୁଡ଼ିକ ସେମାନଙ୍କର କମ୍ ପରିବହନ ଏବଂ ସ୍ୱିଚ୍ କ୍ଷତି ଯୋଗୁଁ ପାୱାର ସିଷ୍ଟମ ଦକ୍ଷତାକୁ ବହୁଳ ଭାବରେ ବୃଦ୍ଧି କରିପାରିବ, ବିଶେଷକରି ମଧ୍ୟମରୁ ନିମ୍ନ-ଶକ୍ତି, ଉଚ୍ଚ-ଫ୍ରିକ୍ୱେନ୍ସି ପ୍ରୟୋଗଗୁଡ଼ିକରେ।
୨.୨ ସୀମାବଦ୍ଧତା
GaN ର ଗୁରୁତ୍ୱପୂର୍ଣ୍ଣ କାର୍ଯ୍ୟଦକ୍ଷତା ସୁବିଧା ସତ୍ତ୍ୱେ, ଏହାର ଉତ୍ପାଦନ ଖର୍ଚ୍ଚ ତୁଳନାତ୍ମକ ଭାବରେ ଅଧିକ ରହିଛି, ଯାହା ଏହାର ବ୍ୟବହାରକୁ ଉଚ୍ଚ-ପ୍ରାଥମିକ ପ୍ରୟୋଗଗୁଡ଼ିକରେ ସୀମିତ କରିଥାଏ ଯେଉଁଠାରେ ଦକ୍ଷତା ଏବଂ ଆକାର ଗୁରୁତ୍ୱପୂର୍ଣ୍ଣ। ଏହା ସହିତ, GaN ପ୍ରଯୁକ୍ତିବିଦ୍ୟା ଏପର୍ଯ୍ୟନ୍ତ ବିକାଶର ଏକ ଅପେକ୍ଷାକୃତ ପ୍ରାରମ୍ଭିକ ପର୍ଯ୍ୟାୟରେ ଅଛି, ଦୀର୍ଘକାଳୀନ ନିର୍ଭରଯୋଗ୍ୟତା ଏବଂ ବହୁଳ ଉତ୍ପାଦନ ପରିପକ୍ୱତା ପାଇଁ ଆହୁରି ବୈଧତା ଆବଶ୍ୟକ।
୨.୩ ପ୍ରୟୋଗ କ୍ଷେତ୍ର
GaN ଡିଭାଇସଗୁଡ଼ିକର ଉଚ୍ଚ-ଫ୍ରିକ୍ୱେନ୍ସି ଏବଂ ଉଚ୍ଚ-ଦକ୍ଷତା ବୈଶିଷ୍ଟ୍ୟଗୁଡ଼ିକ ଦ୍ରୁତ ଚାର୍ଜର, 5G ଯୋଗାଯୋଗ ପାୱାର ଯୋଗାଣ, ଦକ୍ଷ ଇନଭର୍ଟର ଏବଂ ଏରୋସ୍ପେସ୍ ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ସ ସମେତ ଅନେକ ଉଦୀୟମାନ କ୍ଷେତ୍ରରେ ଏହାକୁ ଗ୍ରହଣ କରିବାକୁ ନେତୃତ୍ୱ ନେଇଛି। ପ୍ରଯୁକ୍ତିବିଦ୍ୟାର ଅଗ୍ରଗତି ଏବଂ ମୂଲ୍ୟ ହ୍ରାସ ପାଇବା ସହିତ, GaN ବିଭିନ୍ନ ପ୍ରକାରର ପ୍ରୟୋଗରେ ଅଧିକ ପ୍ରମୁଖ ଭୂମିକା ଗ୍ରହଣ କରିବ ବୋଲି ଆଶା କରାଯାଉଛି।
3. ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ (SiC) — ଉଚ୍ଚ-ଭୋଲଟେଜ୍ ପ୍ରୟୋଗ ପାଇଁ ପସନ୍ଦିତ ସାମଗ୍ରୀ
୩.୧ ବୈଶିଷ୍ଟ୍ୟ ଏବଂ ସୁବିଧା
ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ ହେଉଛି ସିଲିକନ୍ ତୁଳନାରେ ଯଥେଷ୍ଟ ଅଧିକ ବ୍ରେକଡାଉନ୍ କ୍ଷେତ୍ର, ତାପଜ ପରିବାହିତା ଏବଂ ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନ୍ ସାଚୁରେସନ୍ ବେଗ ସହିତ ଆଉ ଏକ ବିସ୍ତୃତ ବ୍ୟାଣ୍ଡଗ୍ୟାପ୍ ଅର୍ଦ୍ଧପରିବାହୀ ସାମଗ୍ରୀ। SiC ଡିଭାଇସଗୁଡ଼ିକ ଉଚ୍ଚ-ଭୋଲଟେଜ୍ ଏବଂ ଉଚ୍ଚ-ଶକ୍ତି ପ୍ରୟୋଗରେ ଉତ୍କୃଷ୍ଟ, ବିଶେଷକରି ବୈଦ୍ୟୁତିକ ଯାନ (EV) ଏବଂ ଶିଳ୍ପ ଇନଭର୍ଟରଗୁଡ଼ିକରେ। SiCର ଉଚ୍ଚ ଭୋଲଟେଜ୍ ସହନଶୀଳତା ଏବଂ କମ୍ ସୁଇଚିଂ କ୍ଷତି ଏହାକୁ ଦକ୍ଷ ଶକ୍ତି ପରିବର୍ତ୍ତନ ଏବଂ ଶକ୍ତି ଘନତା ଅପ୍ଟିମାଇଜେସନ୍ ପାଇଁ ଏକ ଆଦର୍ଶ ପସନ୍ଦ କରିଥାଏ।
୩.୨ ସୀମାବଦ୍ଧତା
GaN ପରି, SiC ଡିଭାଇସଗୁଡ଼ିକ ତିଆରି କରିବା ମହଙ୍ଗା, ଜଟିଳ ଉତ୍ପାଦନ ପ୍ରକ୍ରିୟା ସହିତ। ଏହା EV ପାୱାର ସିଷ୍ଟମ, ନବୀକରଣୀୟ ଶକ୍ତି ସିଷ୍ଟମ, ଉଚ୍ଚ-ଭୋଲଟେଜ ଇନଭର୍ଟର ଏବଂ ସ୍ମାର୍ଟ ଗ୍ରୀଡ୍ ଉପକରଣ ଭଳି ଉଚ୍ଚ-ମୂଲ୍ୟର ପ୍ରୟୋଗଗୁଡ଼ିକରେ ସେମାନଙ୍କର ବ୍ୟବହାରକୁ ସୀମିତ କରେ।
୩.୩ ପ୍ରୟୋଗ କ୍ଷେତ୍ର
SiC ର ଦକ୍ଷ, ଉଚ୍ଚ-ଭୋଲଟେଜ ବୈଶିଷ୍ଟ୍ୟଗୁଡ଼ିକ ଏହାକୁ ଉଚ୍ଚ-ଶକ୍ତି, ଉଚ୍ଚ-ତାପମାନ ପରିବେଶରେ କାର୍ଯ୍ୟ କରୁଥିବା ପାୱାର ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ସ ଡିଭାଇସଗୁଡ଼ିକରେ ବ୍ୟାପକ ଭାବରେ ପ୍ରଯୁଜ୍ୟ କରିଥାଏ, ଯେପରିକି EV ଇନଭର୍ଟର ଏବଂ ଚାର୍ଜର, ଉଚ୍ଚ-ଶକ୍ତି ସୌର ଇନଭର୍ଟର, ପବନ ଶକ୍ତି ପ୍ରଣାଳୀ, ଏବଂ ଅନ୍ୟାନ୍ୟ। ବଜାର ଚାହିଦା ବୃଦ୍ଧି ପାଇବା ସହିତ ଏବଂ ପ୍ରଯୁକ୍ତିବିଦ୍ୟା ଅଗ୍ରଗତି ହେବା ସହିତ, ଏହି କ୍ଷେତ୍ରଗୁଡ଼ିକରେ SiC ଡିଭାଇସଗୁଡ଼ିକର ପ୍ରୟୋଗ ବିସ୍ତାରିତ ହେବ।
୪. ବଜାର ଧାରା ବିଶ୍ଳେଷଣ
୪.୧ GaN ଏବଂ SiC ବଜାରର ଦ୍ରୁତ ଅଭିବୃଦ୍ଧି
ବର୍ତ୍ତମାନ, ଶକ୍ତି ପ୍ରଯୁକ୍ତିବିଦ୍ୟା ବଜାର ଏକ ପରିବର୍ତ୍ତନ ଦେଇ ଗତି କରୁଛି, ଧୀରେ ଧୀରେ ପାରମ୍ପରିକ ସିଲିକନ୍ ଡିଭାଇସ୍ ରୁ GaN ଏବଂ SiC ଡିଭାଇସ୍ କୁ ସ୍ଥାନାନ୍ତରିତ ହେଉଛି। ବଜାର ଗବେଷଣା ରିପୋର୍ଟ ଅନୁଯାୟୀ, GaN ଏବଂ SiC ଡିଭାଇସ୍ ପାଇଁ ବଜାର ଦ୍ରୁତ ଗତିରେ ବିସ୍ତାରିତ ହେଉଛି ଏବଂ ଆଗାମୀ ବର୍ଷଗୁଡ଼ିକରେ ଏହାର ଉଚ୍ଚ ଅଭିବୃଦ୍ଧି ପଥ ଜାରି ରହିବ ବୋଲି ଆଶା କରାଯାଉଛି। ଏହି ଧାରା ମୁଖ୍ୟତଃ ଅନେକ କାରଣ ଦ୍ୱାରା ପରିଚାଳିତ:
- **ବୈଦ୍ୟୁତିକ ଯାନର ବୃଦ୍ଧି**: EV ବଜାର ଦ୍ରୁତ ଗତିରେ ବିସ୍ତାରିତ ହେବା ସହିତ, ଉଚ୍ଚ-ଦକ୍ଷତା, ଉଚ୍ଚ-ଭୋଲଟେଜ ପାୱାର ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟରର ଚାହିଦା ଯଥେଷ୍ଟ ବୃଦ୍ଧି ପାଉଛି। SiC ଡିଭାଇସଗୁଡ଼ିକ, ଉଚ୍ଚ-ଭୋଲଟେଜ ପ୍ରୟୋଗରେ ସେମାନଙ୍କର ଉତ୍କୃଷ୍ଟ କାର୍ଯ୍ୟଦକ୍ଷତା ଯୋଗୁଁ, ପସନ୍ଦିତ ପସନ୍ଦ ପାଲଟିଛିEV ପାୱାର ସିଷ୍ଟମ୍.
- **ନବୀକରଣଯୋଗ୍ୟ ଶକ୍ତି ବିକାଶ**: ସୌର ଏବଂ ପବନ ଶକ୍ତି ଭଳି ନବୀକରଣଯୋଗ୍ୟ ଶକ୍ତି ଉତ୍ପାଦନ ପ୍ରଣାଳୀ ପାଇଁ ଦକ୍ଷ ଶକ୍ତି ପରିବର୍ତ୍ତନ ପ୍ରଯୁକ୍ତିବିଦ୍ୟା ଆବଶ୍ୟକ। SiC ଉପକରଣଗୁଡ଼ିକ, ସେମାନଙ୍କର ଉଚ୍ଚ ଦକ୍ଷତା ଏବଂ ନିର୍ଭରଯୋଗ୍ୟତା ସହିତ, ଏହି ପ୍ରଣାଳୀଗୁଡ଼ିକରେ ବହୁଳ ଭାବରେ ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏ।
- **କଞ୍ଜ୍ୟୁମର ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ସକୁ ଅପଗ୍ରେଡ୍ କରିବା**: ସ୍ମାର୍ଟଫୋନ୍ ଏବଂ ଲାପଟପ୍ ଭଳି ଉପଭୋକ୍ତା ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ସଗୁଡ଼ିକ ଉଚ୍ଚ କାର୍ଯ୍ୟଦକ୍ଷତା ଏବଂ ଦୀର୍ଘ ବ୍ୟାଟେରୀ ଜୀବନ ଆଡ଼କୁ ବିକଶିତ ହେଉଥିବାରୁ, GaN ଡିଭାଇସଗୁଡ଼ିକୁ ସେମାନଙ୍କର ଉଚ୍ଚ-ଫ୍ରିକ୍ୱେନ୍ସି ଏବଂ ଉଚ୍ଚ-ଦକ୍ଷତା ବୈଶିଷ୍ଟ୍ୟ ଯୋଗୁଁ ଦ୍ରୁତ ଚାର୍ଜର ଏବଂ ପାୱାର ଆଡାପ୍ଟରଗୁଡ଼ିକରେ ବର୍ଦ୍ଧିତ ଭାବରେ ଗ୍ରହଣ କରାଯାଉଛି।
୪.୨ କାହିଁକି GaN ଏବଂ SiC ବାଛନ୍ତୁ
GaN ଏବଂ SiC ପ୍ରତି ବ୍ୟାପକ ଧ୍ୟାନ ମୁଖ୍ୟତଃ ନିର୍ଦ୍ଦିଷ୍ଟ ପ୍ରୟୋଗଗୁଡ଼ିକରେ ସିଲିକନ୍ ଡିଭାଇସ୍ ତୁଳନାରେ ସେମାନଙ୍କର ଉତ୍କୃଷ୍ଟ କାର୍ଯ୍ୟଦକ୍ଷତାରୁ ଆସିଛି।
- **ଉଚ୍ଚ ଦକ୍ଷତା**: GaN ଏବଂ SiC ଡିଭାଇସଗୁଡ଼ିକ ଉଚ୍ଚ-ଆବୃତ୍ତି ଏବଂ ଉଚ୍ଚ-ଭୋଲଟେଜ ପ୍ରୟୋଗରେ ଉତ୍କର୍ଷତା ହାସଲ କରନ୍ତି, ଶକ୍ତି କ୍ଷତିକୁ ଯଥେଷ୍ଟ ହ୍ରାସ କରନ୍ତି ଏବଂ ସିଷ୍ଟମ ଦକ୍ଷତାରେ ଉନ୍ନତି ଆଣନ୍ତି। ଏହା ବିଶେଷ ଭାବରେ ବୈଦ୍ୟୁତିକ ଯାନ, ନବୀକରଣୀୟ ଶକ୍ତି ଏବଂ ଉଚ୍ଚ-କ୍ଷମତା ସମ୍ପନ୍ନ ଗ୍ରାହକ ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ସରେ ଗୁରୁତ୍ୱପୂର୍ଣ୍ଣ।
- **ଛୋଟ ଆକାର**: ଯେହେତୁ GaN ଏବଂ SiC ଡିଭାଇସଗୁଡ଼ିକ ଉଚ୍ଚ ଫ୍ରିକ୍ୱେନ୍ସିରେ କାର୍ଯ୍ୟ କରିପାରିବେ, ପାୱାର ଡିଜାଇନର୍ମାନେ ନିଷ୍କ୍ରିୟ ଉପାଦାନଗୁଡ଼ିକର ଆକାରକୁ ହ୍ରାସ କରିପାରିବେ, ଯାହାଦ୍ୱାରା ସାମଗ୍ରିକ ପାୱାର ସିଷ୍ଟମ ଆକାରକୁ ସଙ୍କୁଚିତ କରାଯାଇପାରିବ। ଏହା ଗ୍ରାହକ ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ସ ଏବଂ ଏରୋସ୍ପେସ୍ ଉପକରଣ ଭଳି କ୍ଷୁଦ୍ରକରଣ ଏବଂ ହାଲୁକା ଡିଜାଇନ୍ ଦାବି କରୁଥିବା ଆପ୍ଲିକେସନ୍ ପାଇଁ ଗୁରୁତ୍ୱପୂର୍ଣ୍ଣ।
- **ବର୍ଦ୍ଧିତ ନିର୍ଭରଯୋଗ୍ୟତା**: SiC ଡିଭାଇସଗୁଡ଼ିକ ଉଚ୍ଚ-ତାପମାନ, ଉଚ୍ଚ-ଭୋଲଟେଜ ପରିବେଶରେ ଅସାଧାରଣ ଥର୍ମାଲ୍ ସ୍ଥିରତା ଏବଂ ନିର୍ଭରଯୋଗ୍ୟତା ପ୍ରଦର୍ଶନ କରନ୍ତି, ଯାହା ବାହ୍ୟ ଶୀତଳତାର ଆବଶ୍ୟକତାକୁ ହ୍ରାସ କରେ ଏବଂ ଡିଭାଇସର ଜୀବନକାଳ ବୃଦ୍ଧି କରେ।
୫. ନିଷ୍କର୍ଷ
ଆଧୁନିକ ଶକ୍ତି ପ୍ରଯୁକ୍ତିର ବିକାଶରେ, ଅର୍ଦ୍ଧଚାଳକ ସାମଗ୍ରୀର ପସନ୍ଦ ସିଷ୍ଟମ କାର୍ଯ୍ୟଦକ୍ଷତା ଏବଂ ପ୍ରୟୋଗ ସମ୍ଭାବନାକୁ ସିଧାସଳଖ ପ୍ରଭାବିତ କରେ। ସିଲିକନ୍ ଏବେ ବି ପାରମ୍ପରିକ ଶକ୍ତି ପ୍ରୟୋଗ ବଜାରରେ ପ୍ରାଧାନ୍ୟ ବିସ୍ତାର କରୁଥିବା ବେଳେ, GaN ଏବଂ SiC ପ୍ରଯୁକ୍ତିବିଦ୍ୟାଗୁଡ଼ିକ ପରିପକ୍ୱ ହେବା ସହିତ ଦକ୍ଷ, ଉଚ୍ଚ-ଘନତା ଏବଂ ଉଚ୍ଚ-ନିର୍ଭରଯୋଗ୍ୟ ଶକ୍ତି ପ୍ରଣାଳୀ ପାଇଁ ଦ୍ରୁତ ଗତିରେ ଆଦର୍ଶ ପସନ୍ଦ ହେବାକୁ ଲାଗିଛି।
GaN ଶୀଘ୍ର ଗ୍ରାହକଙ୍କ ମଧ୍ୟରେ ପ୍ରବେଶ କରୁଛିଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ସଏବଂ ଯୋଗାଯୋଗ କ୍ଷେତ୍ରଗୁଡ଼ିକ ଏହାର ଉଚ୍ଚ-ଫ୍ରିକ୍ୟୁନ୍ସି ଏବଂ ଉଚ୍ଚ-ଦକ୍ଷତା ବୈଶିଷ୍ଟ୍ୟ ଯୋଗୁଁ, ଯେତେବେଳେ SiC, ଉଚ୍ଚ-ଭୋଲଟେଜ, ଉଚ୍ଚ-ଶକ୍ତି ପ୍ରୟୋଗରେ ଏହାର ଅନନ୍ୟ ସୁବିଧା ସହିତ, ବୈଦ୍ୟୁତିକ ଯାନ ଏବଂ ନବୀକରଣୀୟ ଶକ୍ତି ପ୍ରଣାଳୀରେ ଏକ ପ୍ରମୁଖ ସାମଗ୍ରୀ ହୋଇପଡୁଛି। ଖର୍ଚ୍ଚ ହ୍ରାସ ଏବଂ ପ୍ରଯୁକ୍ତିବିଦ୍ୟା ଅଗ୍ରଗତି ସହିତ, GaN ଏବଂ SiC ବିଭିନ୍ନ ପ୍ରକାରର ପ୍ରୟୋଗରେ ସିଲିକନ୍ ଡିଭାଇସଗୁଡ଼ିକୁ ପ୍ରତିସ୍ଥାପନ କରିବ ବୋଲି ଆଶା କରାଯାଉଛି, ଯାହା ଶକ୍ତି ପ୍ରଯୁକ୍ତିବିଦ୍ୟାକୁ ବିକାଶର ଏକ ନୂତନ ପର୍ଯ୍ୟାୟକୁ ନେଇଯିବ।
GaN ଏବଂ SiC ଦ୍ୱାରା ପରିଚାଳିତ ଏହି ବିପ୍ଳବ କେବଳ ବିଦ୍ୟୁତ୍ ପ୍ରଣାଳୀ ଡିଜାଇନ୍ କରିବାର ପଦ୍ଧତିକୁ ପରିବର୍ତ୍ତନ କରିବ ନାହିଁ ବରଂ ଉପଭୋକ୍ତା ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ସ ଠାରୁ ଶକ୍ତି ପରିଚାଳନା ପର୍ଯ୍ୟନ୍ତ ଅନେକ ଶିଳ୍ପକୁ ଗଭୀର ଭାବରେ ପ୍ରଭାବିତ କରିବ, ସେମାନଙ୍କୁ ଉଚ୍ଚ ଦକ୍ଷତା ଏବଂ ଅଧିକ ପରିବେଶ ଅନୁକୂଳ ଦିଗ ଆଡ଼କୁ ଠେଲିଦେବ।
ପୋଷ୍ଟ ସମୟ: ଅଗଷ୍ଟ-୨୮-୨୦୨୪