ପରିଚୟ
ପାୱାର ଟେକ୍ନୋଲୋଜି ହେଉଛି ଆଧୁନିକ ବ electronic ଦ୍ୟୁତିକ ଉପକରଣଗୁଡ଼ିକର ମୂଳଦୁଆ, ଏବଂ ଟେକ୍ନୋଲୋଜି ଅଗ୍ରଗତି କଲାବେଳେ ଉନ୍ନତ ବିଦ୍ୟୁତ ବ୍ୟବସ୍ଥା କାର୍ଯ୍ୟଦକ୍ଷତାର ଚାହିଦା ବ continues ିବାରେ ଲାଗିଛି | ଏହି ପରିପ୍ରେକ୍ଷୀରେ, ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ସାମଗ୍ରୀର ପସନ୍ଦ ଗୁରୁତ୍ୱପୂର୍ଣ୍ଣ ହୋଇଯାଏ | ପାରମ୍ପାରିକ ସିଲିକନ୍ (ସି) ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟରଗୁଡିକ ବହୁଳ ଭାବରେ ବ୍ୟବହୃତ ହେଉଥିବାବେଳେ ଗାଲିୟମ୍ ନାଇଟ୍ରାଇଡ୍ (GaN) ଏବଂ ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ (SiC) ପରି ଉଦୀୟମାନ ସାମଗ୍ରୀ ଉଚ୍ଚ କ୍ଷମତା ସମ୍ପନ୍ନ ଶକ୍ତି ପ୍ରଯୁକ୍ତିବିଦ୍ୟାରେ ଅଧିକ ବୃଦ୍ଧି ପାଇବାରେ ଲାଗିଛି | ଭବିଷ୍ୟତର ବିଦ୍ୟୁତ୍ ବ୍ୟବସ୍ଥାରେ GaN ଏବଂ SiC କାହିଁକି ଜରୁରୀ ହୋଇପାରୁଛି ତାହା ବୁ to ିବା ପାଇଁ ଏହି ଆର୍ଟିକିଲ୍ ପାୱାର୍ ଟେକ୍ନୋଲୋଜିର ଏହି ତିନୋଟି ସାମଗ୍ରୀ, ସେମାନଙ୍କର ପ୍ରୟୋଗ ପରିସ୍ଥିତି ଏବଂ ବର୍ତ୍ତମାନର ବଜାର ଧାରା ମଧ୍ୟରେ ପାର୍ଥକ୍ୟ ଅନୁସନ୍ଧାନ କରିବ |
1. ସିଲିକନ୍ (ସି) - ପାରମ୍ପାରିକ ଶକ୍ତି ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ସାମଗ୍ରୀ |
1.1 ଗୁଣ ଏବଂ ଉପକାରିତା |
ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ସ ଶିଳ୍ପରେ ଦଶନ୍ଧି ଧରି ପ୍ରୟୋଗ ସହିତ ପାୱାର ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର କ୍ଷେତ୍ରରେ ସିଲିକନ୍ ହେଉଛି ଅଗ୍ରଣୀ ପଦାର୍ଥ | ସି-ଆଧାରିତ ଉପକରଣଗୁଡ଼ିକ ପରିପକ୍ୱ ଉତ୍ପାଦନ ପ୍ରକ୍ରିୟା ଏବଂ ଏକ ବ୍ୟାପକ ପ୍ରୟୋଗ ଆଧାର, ସ୍ୱଳ୍ପ ମୂଲ୍ୟ ଏବଂ ଏକ ସୁ-ପ୍ରତିଷ୍ଠିତ ଯୋଗାଣ ଶୃଙ୍ଖଳା ପରି ସୁବିଧା ପ୍ରଦାନ କରେ | ସିଲିକନ୍ ଉପକରଣଗୁଡ଼ିକ ଭଲ ବ electrical ଦୁତିକ କଣ୍ଡକ୍ଟିଭିଟି ପ୍ରଦର୍ଶନ କରେ, ଯାହା ସେମାନଙ୍କୁ ସ୍ୱଳ୍ପ ଶକ୍ତି ଉପଭୋକ୍ତା ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ସ ଠାରୁ ଆରମ୍ଭ କରି ଉଚ୍ଚ ଶକ୍ତି ବିଶିଷ୍ଟ ଶିଳ୍ପ ପ୍ରଣାଳୀ ପର୍ଯ୍ୟନ୍ତ ବିଭିନ୍ନ ଶକ୍ତି ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ସ ପ୍ରୟୋଗ ପାଇଁ ଉପଯୁକ୍ତ କରିଥାଏ |
1.2 ସୀମିତତା |
ତଥାପି, ପାୱାର ସିଷ୍ଟମରେ ଉଚ୍ଚ ଦକ୍ଷତା ଏବଂ କାର୍ଯ୍ୟଦକ୍ଷତାର ଚାହିଦା ବ ows ିବା ସହିତ ସିଲିକନ୍ ଉପକରଣଗୁଡ଼ିକର ସୀମା ସ୍ପଷ୍ଟ ହୋଇଯାଏ | ପ୍ରଥମେ, ଉଚ୍ଚ-ଫ୍ରିକ୍ୱେନ୍ସି ଏବଂ ଉଚ୍ଚ-ତାପମାତ୍ରା ଅବସ୍ଥାରେ ସିଲିକନ୍ ଖରାପ ପ୍ରଦର୍ଶନ କରେ, ଯାହାଦ୍ୱାରା ଶକ୍ତି ହ୍ରାସ ହୁଏ ଏବଂ ସିଷ୍ଟମ୍ ଦକ୍ଷତା କମିଯାଏ | ଅତିରିକ୍ତ ଭାବରେ, ସିଲିକନ୍ ର ନିମ୍ନ ଥର୍ମାଲ୍ କଣ୍ଡକ୍ଟିଭିଟି ଉଚ୍ଚ ଶକ୍ତି ପ୍ରୟୋଗରେ ତାପଜ ପରିଚାଳନାକୁ ଚ୍ୟାଲେଞ୍ଜ କରିଥାଏ, ଯାହା ସିଷ୍ଟମ୍ ନିର୍ଭରଯୋଗ୍ୟତା ଏବଂ ଜୀବନକାଳ ଉପରେ ପ୍ରଭାବ ପକାଇଥାଏ |
1.3 ପ୍ରୟୋଗ କ୍ଷେତ୍ରଗୁଡିକ |
ଏହି ଆହ୍ Despite ାନଗୁଡିକ ସତ୍ତ୍ many େ, ସିଲିକନ୍ ଉପକରଣଗୁଡିକ ଅନେକ ପାରମ୍ପାରିକ ପ୍ରୟୋଗରେ ପ୍ରାଧାନ୍ୟ ବିସ୍ତାର କରିଥା’ନ୍ତି, ବିଶେଷତ cost ମୂଲ୍ୟ ସମ୍ବେଦନଶୀଳ ଉପଭୋକ୍ତା ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ସ ଏବଂ ସ୍ୱଳ୍ପରୁ ମଧ୍ୟମ ଶକ୍ତି ପ୍ରୟୋଗଗୁଡ଼ିକରେ ଯେପରିକି ଏସି-ଡିସି କନଭର୍ଟର, ଡିସି-ଡିସି କନଭର୍ଟର, ଘରୋଇ ଉପକରଣ ଏବଂ ବ୍ୟକ୍ତିଗତ ଗଣନା ଉପକରଣ |
2. ଗାଲିୟମ୍ ନାଇଟ୍ରାଇଡ୍ (GaN) - ଏକ ଉଦୀୟମାନ ଉଚ୍ଚ-କାର୍ଯ୍ୟଦକ୍ଷତା ସାମଗ୍ରୀ |
2.1 ଗୁଣ ଏବଂ ଉପକାରିତା |
ଗାଲିୟମ୍ ନାଇଟ୍ରାଇଡ୍ ଏକ ପ୍ରଶସ୍ତ ବ୍ୟାଣ୍ଡଗ୍ୟାପ୍ |ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର |ଏକ ଉଚ୍ଚ ବ୍ରେକଡାଉନ୍ ଫିଲ୍ଡ, ଉଚ୍ଚ ଇଲେକ୍ଟ୍ରନ୍ ଗତିଶୀଳତା ଏବଂ କମ୍ ଅନ୍-ପ୍ରତିରୋଧ ଦ୍ୱାରା ବର୍ଣ୍ଣିତ ପଦାର୍ଥ | ସିଲିକନ୍ ତୁଳନାରେ, GaN ଉପକରଣଗୁଡ଼ିକ ଅଧିକ ଫ୍ରିକ୍ୱେନ୍ସିରେ କାର୍ଯ୍ୟ କରିପାରନ୍ତି, ବିଦ୍ୟୁତ୍ ଯୋଗାଣରେ ପାସ୍ ଉପାଦାନଗୁଡ଼ିକର ଆକାରକୁ ହ୍ରାସ କରି ଶକ୍ତି ସାନ୍ଧ୍ରତା ବୃଦ୍ଧି କରିଥାଏ | ଅଧିକନ୍ତୁ, GaN ଉପକରଣଗୁଡ଼ିକ ସେମାନଙ୍କର କମ୍ ଚାଳନା ଏବଂ ସୁଇଚ୍ କ୍ଷତି ହେତୁ ପାୱାର୍ ସିଷ୍ଟମ୍ ଦକ୍ଷତାକୁ ବହୁଗୁଣିତ କରିପାରନ୍ତି, ବିଶେଷତ medium ମଧ୍ୟମରୁ ନିମ୍ନ ଶକ୍ତି, ଉଚ୍ଚ-ଫ୍ରିକ୍ୱେନ୍ସି ପ୍ରୟୋଗଗୁଡ଼ିକରେ |
2.2 ସୀମା
GaN ର ମହତ୍ performance ପୂର୍ଣ୍ଣ କାର୍ଯ୍ୟଦକ୍ଷତା ସୁବିଧା ସତ୍ତ୍ its େ, ଏହାର ଉତ୍ପାଦନ ଖର୍ଚ୍ଚ ଅପେକ୍ଷାକୃତ ଅଧିକ ରହିଥାଏ, ଏହାର ବ୍ୟବହାରକୁ ଉଚ୍ଚ-ପ୍ରୟୋଗଗୁଡ଼ିକରେ ସୀମିତ କରେ ଯେଉଁଠାରେ ଦକ୍ଷତା ଏବଂ ଆକାର ଗୁରୁତ୍ are ପୂର୍ଣ୍ଣ | ଅତିରିକ୍ତ ଭାବରେ, GaN ଟେକ୍ନୋଲୋଜି ବିକାଶର ଅପେକ୍ଷାକୃତ ପ୍ରାରମ୍ଭିକ ପର୍ଯ୍ୟାୟରେ ଅଛି, ଦୀର୍ଘମିଆଦି ନିର୍ଭରଯୋଗ୍ୟତା ଏବଂ ବହୁ ଉତ୍ପାଦନ ପରିପକ୍ୱତା ସହିତ ଅଧିକ ବ ation ଧତା ଆବଶ୍ୟକ |
2.3 ପ୍ରୟୋଗ କ୍ଷେତ୍ର |
GaN ଉପକରଣଗୁଡ଼ିକର ଉଚ୍ଚ-ଫ୍ରିକ୍ୱେନ୍ସି ଏବଂ ଉଚ୍ଚ-ଦକ୍ଷତା ବ characteristics ଶିଷ୍ଟ୍ୟଗୁଡିକ ଦ୍ରୁତ ଚାର୍ଜର, 5G ଯୋଗାଯୋଗ ଶକ୍ତି ଯୋଗାଣ, ଦକ୍ଷ ଇନଭର୍ଟର ଏବଂ ଏରୋସ୍ପେସ୍ ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ସ ସହିତ ଅନେକ ଉଦୀୟମାନ କ୍ଷେତ୍ରରେ ସେମାନଙ୍କର ଗ୍ରହଣକୁ ଆଗେଇ ନେଇଛି | ଟେକ୍ନୋଲୋଜିର ଅଗ୍ରଗତି ଏବଂ ଖର୍ଚ୍ଚ ହ୍ରାସ ହେବା ସହିତ, GaN ଏକ ବ୍ୟାପକ ପ୍ରୟୋଗରେ ଅଧିକ ପ୍ରମୁଖ ଭୂମିକା ଗ୍ରହଣ କରିବ ବୋଲି ଆଶା କରାଯାଏ |
3. ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ (SiC) - ଉଚ୍ଚ-ଭୋଲଟେଜ୍ ପ୍ରୟୋଗଗୁଡ଼ିକ ପାଇଁ ପସନ୍ଦିତ ସାମଗ୍ରୀ |
3.1 ଗୁଣ ଏବଂ ଉପକାରିତା |
ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ ହେଉଛି ଅନ୍ୟ ଏକ ପ୍ରଶସ୍ତ ବ୍ୟାଣ୍ଡଗ୍ୟାପ୍ ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ସାମଗ୍ରୀ ଯାହାକି ସିଲିକନ୍ ଅପେକ୍ଷା ଯଥେଷ୍ଟ ଅଧିକ ବ୍ରେକଡାଉନ୍ ଫିଲ୍ଡ, ଥର୍ମାଲ୍ କଣ୍ଡକ୍ଟିଭିଟି ଏବଂ ଇଲେକ୍ଟ୍ରନ୍ ସାଚୁଚରେସନ୍ ବେଗ ସହିତ | SiC ଉପକରଣଗୁଡ଼ିକ ଉଚ୍ଚ-ଭୋଲଟେଜ୍ ଏବଂ ଉଚ୍ଚ-ଶକ୍ତି ପ୍ରୟୋଗଗୁଡ଼ିକରେ ଉତ୍କୃଷ୍ଟ, ବିଶେଷତ electric ବ electric ଦ୍ୟୁତିକ ଯାନ (ଇଭି) ଏବଂ ଇଣ୍ଡଷ୍ଟ୍ରିଆଲ୍ ଇନଭର୍ଟରରେ | SiC ର ଉଚ୍ଚ ଭୋଲଟେଜ୍ ସହନଶୀଳତା ଏବଂ କମ୍ ସୁଇଚ୍ କ୍ଷତି ଏହାକୁ ଦକ୍ଷ ଶକ୍ତି ରୂପାନ୍ତର ଏବଂ ଶକ୍ତି ସାନ୍ଧ୍ରତା ଅପ୍ଟିମାଇଜେସନ୍ ପାଇଁ ଏକ ଆଦର୍ଶ ପସନ୍ଦ କରିଥାଏ |
2.2 ସୀମା
GaN ପରି, SiC ଉପକରଣଗୁଡ଼ିକ ଉତ୍ପାଦନ ପାଇଁ ମହଙ୍ଗା, ଜଟିଳ ଉତ୍ପାଦନ ପ୍ରକ୍ରିୟା ସହିତ | ଏହା ସେମାନଙ୍କର ବ୍ୟବହାରକୁ ଉଚ୍ଚ ମୂଲ୍ୟର ପ୍ରୟୋଗଗୁଡ଼ିକରେ ସୀମିତ କରେ ଯେପରିକି ଇଭି ପାୱାର୍ ସିଷ୍ଟମ୍, ଅକ୍ଷୟ ଶକ୍ତି ସିଷ୍ଟମ୍, ହାଇ-ଭୋଲଟେଜ୍ ଇନଭର୍ଟର ଏବଂ ସ୍ମାର୍ଟ ଗ୍ରୀଡ୍ ଉପକରଣ |
3.3 ପ୍ରୟୋଗ କ୍ଷେତ୍ର |
SiC ର ଦକ୍ଷ, ଉଚ୍ଚ-ଭୋଲଟେଜ୍ ବ characteristics ଶିଷ୍ଟ୍ୟଗୁଡିକ ଏହାକୁ ଉଚ୍ଚ ଶକ୍ତି, ଉଚ୍ଚ-ତାପମାତ୍ରା ପରିବେଶରେ କାର୍ଯ୍ୟ କରୁଥିବା ପାୱାର ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ସ ଉପକରଣଗୁଡ଼ିକରେ ବ୍ୟାପକ ଭାବରେ ପ୍ରଯୁଜ୍ୟ କରିଥାଏ ଯେପରିକି ଇଭି ଇନଭର୍ଟର ଏବଂ ଚାର୍ଜର, ଉଚ୍ଚ ଶକ୍ତି ବିଶିଷ୍ଟ ସ ar ର ଇନଭର୍ଟର, ପବନ ଶକ୍ତି ପ୍ରଣାଳୀ ଏବଂ ଅଧିକ | ବଜାରର ଚାହିଦା ବ ows ିବା ସହ ଟେକ୍ନୋଲୋଜି ଅଗ୍ରଗତି କଲାବେଳେ ଏହି କ୍ଷେତ୍ରରେ SiC ଉପକରଣଗୁଡ଼ିକର ପ୍ରୟୋଗ ବିସ୍ତାର ହେବ |
4. ମାର୍କେଟ ଟ୍ରେଣ୍ଡ ବିଶ୍ଳେଷଣ |
4.1 GaN ଏବଂ SiC ମାର୍କେଟଗୁଡିକର ଦ୍ରୁତ ଅଭିବୃଦ୍ଧି |
ସମ୍ପ୍ରତି, ପାୱାର୍ ଟେକ୍ନୋଲୋଜି ବଜାରରେ ଏକ ପରିବର୍ତ୍ତନ ଚାଲିଛି, ଧୀରେ ଧୀରେ ପାରମ୍ପାରିକ ସିଲିକନ୍ ଉପକରଣରୁ GaN ଏବଂ SiC ଉପକରଣକୁ ସ୍ଥାନାନ୍ତରିତ | ବଜାର ଅନୁସନ୍ଧାନ ରିପୋର୍ଟ ଅନୁଯାୟୀ, GaN ଏବଂ SiC ଉପକରଣଗୁଡ଼ିକର ବଜାର ଦ୍ରୁତ ଗତିରେ ବୃଦ୍ଧି ପାଉଛି ଏବଂ ଆଗାମୀ ବର୍ଷରେ ଏହାର ଉଚ୍ଚ ଅଭିବୃଦ୍ଧି ପଥ ଜାରି ରହିବ ବୋଲି ଆଶା କରାଯାଉଛି | ଏହି ଧାରା ମୁଖ୍ୟତ several ଅନେକ କାରଣ ଦ୍ୱାରା ପରିଚାଳିତ:
- ** ବ Electric ଦ୍ୟୁତିକ ଯାନଗୁଡିକର ବୃଦ୍ଧି **: ଇଭି ବଜାର ଦ୍ରୁତ ଗତିରେ ବିସ୍ତାର ହେବା ସହିତ ଉଚ୍ଚ-ଦକ୍ଷତା, ଉଚ୍ଚ-ଭୋଲଟେଜ୍ ପାୱାର ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟରଗୁଡ଼ିକର ଚାହିଦା ଯଥେଷ୍ଟ ବୃଦ୍ଧି ପାଉଛି | ହାଇ-ଭୋଲଟେଜ୍ ପ୍ରୟୋଗଗୁଡ଼ିକରେ ସେମାନଙ୍କର ଉନ୍ନତ କାର୍ଯ୍ୟଦକ୍ଷତା ହେତୁ SiC ଉପକରଣଗୁଡ଼ିକ ପସନ୍ଦଯୋଗ୍ୟ ପାଲଟିଛି |ଇଭି ପାୱାର୍ ସିଷ୍ଟମ୍ |.
- ** ନବୀକରଣ ଯୋଗ୍ୟ ଶକ୍ତି ବିକାଶ **: ନବୀକରଣ ଯୋଗ୍ୟ ଶକ୍ତି ଉତ୍ପାଦନ ପ୍ରଣାଳୀ, ଯେପରିକି ସ ar ର ଏବଂ ପବନ ଶକ୍ତି, ଦକ୍ଷ ଶକ୍ତି ରୂପାନ୍ତର ପ୍ରଯୁକ୍ତିବିଦ୍ୟା ଆବଶ୍ୟକ କରେ | SiC ଉପକରଣଗୁଡ଼ିକ, ସେମାନଙ୍କର ଉଚ୍ଚ ଦକ୍ଷତା ଏବଂ ନିର୍ଭରଯୋଗ୍ୟତା ସହିତ, ଏହି ସିଷ୍ଟମରେ ବହୁଳ ଭାବରେ ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏ |
- ** ଗ୍ରାହକ ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ସକୁ ଅପଗ୍ରେଡ୍ କରିବା **: ସ୍ମାର୍ଟଫୋନ୍ ଏବଂ ଲାପଟପ୍ ପରି ଉପଭୋକ୍ତା ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ସ ଅଧିକ କାର୍ଯ୍ୟଦକ୍ଷତା ଏବଂ ଅଧିକ ବ୍ୟାଟେରୀ ଜୀବନ ଆଡକୁ ଗତି କଲାବେଳେ, ଉଚ୍ଚ-ଫ୍ରିକ୍ୱେନ୍ସି ଏବଂ ଉଚ୍ଚ-ଦକ୍ଷତା ବ characteristics ଶିଷ୍ଟ୍ୟ ହେତୁ ଫାଷ୍ଟ ଚାର୍ଜର ଏବଂ ପାୱାର ଆଡାପ୍ଟରରେ GaN ଉପକରଣଗୁଡ଼ିକ ଅଧିକରୁ ଅଧିକ ଗ୍ରହଣ କରାଯାଏ |
4.2 କାହିଁକି GaN ଏବଂ SiC ବାଛନ୍ତୁ |
GaN ଏବଂ SiC ପ୍ରତି ବ୍ୟାପକ ଧ୍ୟାନ ମୁଖ୍ୟତ specific ନିର୍ଦ୍ଦିଷ୍ଟ ପ୍ରୟୋଗଗୁଡ଼ିକରେ ସିଲିକନ୍ ଉପକରଣଗୁଡ଼ିକ ଉପରେ ସେମାନଙ୍କର ଉନ୍ନତ ପ୍ରଦର୍ଶନରୁ ଆସିଥାଏ |
- ** ଉଚ୍ଚ ଦକ୍ଷତା **: GaN ଏବଂ SiC ଉପକରଣଗୁଡ଼ିକ ଉଚ୍ଚ-ଫ୍ରିକ୍ୱେନ୍ସି ଏବଂ ହାଇ-ଭୋଲଟେଜ୍ ପ୍ରୟୋଗରେ ଉତ୍କୃଷ୍ଟ, ଶକ୍ତି କ୍ଷୟକୁ ହ୍ରାସ କରିଥାଏ ଏବଂ ସିଷ୍ଟମ୍ ଦକ୍ଷତା ବୃଦ୍ଧି କରିଥାଏ | ବ electric ଦୁତିକ ଯାନ, ଅକ୍ଷୟ ଶକ୍ତି ଏବଂ ଉଚ୍ଚ କ୍ଷମତା ସମ୍ପନ୍ନ ଉପଭୋକ୍ତା ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ସରେ ଏହା ବିଶେଷ ଗୁରୁତ୍ୱପୂର୍ଣ୍ଣ |
- ** ଛୋଟ ଆକାର **: କାରଣ GaN ଏବଂ SiC ଉପକରଣଗୁଡ଼ିକ ଅଧିକ ଫ୍ରିକ୍ୱେନ୍ସିରେ କାର୍ଯ୍ୟ କରିପାରନ୍ତି, ପାୱାର୍ ଡିଜାଇନର୍ମାନେ ପାସିଭ୍ ଉପାଦାନଗୁଡ଼ିକର ଆକାରକୁ ହ୍ରାସ କରିପାରିବେ, ଯାହା ଦ୍ overall ାରା ସାମଗ୍ରିକ ପାୱାର୍ ସିଷ୍ଟମ୍ ଆକାର ହ୍ରାସ ପାଇବ | ପ୍ରୟୋଗଗୁଡ଼ିକ ପାଇଁ ଏହା ଅତ୍ୟନ୍ତ ଗୁରୁତ୍ୱପୂର୍ଣ୍ଣ ଯାହା ମିନିଟ୍ରାଇଜେସନ୍ ଏବଂ ହାଲୁକା ଡିଜାଇନ୍ ଆବଶ୍ୟକ କରେ ଯେପରିକି ଉପଭୋକ୍ତା ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ସ ଏବଂ ଏରୋସ୍ପେସ୍ ଉପକରଣ |
**
5. ସିଦ୍ଧାନ୍ତ
ଆଧୁନିକ ଶକ୍ତି ପ୍ରଯୁକ୍ତିର ବିବର୍ତ୍ତନରେ, ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ପଦାର୍ଥର ଚୟନ ସିଧାସଳଖ ସିଷ୍ଟମ କାର୍ଯ୍ୟଦକ୍ଷତା ଏବଂ ପ୍ରୟୋଗ ସମ୍ଭାବନା ଉପରେ ପ୍ରଭାବ ପକାଇଥାଏ | ପାରମ୍ପାରିକ ଶକ୍ତି ପ୍ରୟୋଗ ବଜାର ଉପରେ ସିଲିକନ୍ ପ୍ରାଧାନ୍ୟ ବିସ୍ତାର କରୁଥିବାବେଳେ, GaN ଏବଂ SiC ପ୍ରଯୁକ୍ତିବିଦ୍ୟା ଶୀଘ୍ର ପରିପକ୍ୱ ହେବା ସହିତ ଦକ୍ଷ, ଉଚ୍ଚ-ସାନ୍ଦ୍ରତା ଏବଂ ଉଚ୍ଚ-ନିର୍ଭରଯୋଗ୍ୟ ଶକ୍ତି ପ୍ରଣାଳୀ ପାଇଁ ଆଦର୍ଶ ପସନ୍ଦରେ ପରିଣତ ହେଉଛି |
GaN ଶୀଘ୍ର ଗ୍ରାହକଙ୍କୁ ପ୍ରବେଶ କରୁଛି |ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ସଏବଂ ଏହାର ଉଚ୍ଚ-ଫ୍ରିକ୍ୱେନ୍ସି ଏବଂ ଉଚ୍ଚ-ଦକ୍ଷତା ବ characteristics ଶିଷ୍ଟ୍ୟ ହେତୁ ଯୋଗାଯୋଗ କ୍ଷେତ୍ରଗୁଡିକ, ଯେତେବେଳେ ଉଚ୍ଚ-ଭୋଲଟେଜ୍, ଉଚ୍ଚ-ଶକ୍ତି ପ୍ରୟୋଗରେ ଏହାର ଅନନ୍ୟ ସୁବିଧା ସହିତ SiC, ବ electric ଦ୍ୟୁତିକ ଯାନ ଏବଂ ଅକ୍ଷୟ ଶକ୍ତି ପ୍ରଣାଳୀରେ ଏକ ପ୍ରମୁଖ ପଦାର୍ଥରେ ପରିଣତ ହେଉଛି | ଖର୍ଚ୍ଚ ହ୍ରାସ ହେବା ସହ ଟେକ୍ନୋଲୋଜିର ଅଗ୍ରଗତି ହେତୁ, GaN ଏବଂ SiC ଏକ ବ୍ୟାପକ ପ୍ରୟୋଗରେ ସିଲିକନ୍ ଉପକରଣଗୁଡ଼ିକୁ ବଦଳାଇବ ବୋଲି ଆଶା କରାଯାଏ, ପାୱାର ଟେକ୍ନୋଲୋଜି ବିକାଶର ଏକ ନୂତନ ପର୍ଯ୍ୟାୟରେ |
GaN ଏବଂ SiC ଦ୍ୱାରା ପରିଚାଳିତ ଏହି ବିପ୍ଳବ କେବଳ ପାୱାର୍ ସିଷ୍ଟମର ଡିଜାଇନ୍ ପଦ୍ଧତିକୁ ପରିବର୍ତ୍ତନ କରିବ ନାହିଁ ବରଂ ଉପଭୋକ୍ତା ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ସ ଠାରୁ ଶକ୍ତି ପରିଚାଳନା ପର୍ଯ୍ୟନ୍ତ ଏକାଧିକ ଶିଳ୍ପକୁ ଗଭୀର ଭାବରେ ପ୍ରଭାବିତ କରିବ, ସେମାନଙ୍କୁ ଉଚ୍ଚ ଦକ୍ଷତା ଏବଂ ଅଧିକ ପରିବେଶ ଅନୁକୂଳ ଦିଗକୁ ଠେଲି ଦେବ |
ପୋଷ୍ଟ ସମୟ: ଅଗଷ୍ଟ -28-2024 |